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国家发改委推动新型电力电子器件产业化

2012-02-25 11:25
老猫
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  从国家发改委了解到,为推动节能降耗,促进电力电子技术和产业的发展,国家发改委等有关部门将对安排补贴资金支持新型电力电子器件产业化。

  随着我国智能电网、高铁建设、新能源汽车以及节能家电等市场的发展,对5英寸及6英寸晶闸管、IGCT(集成门极换流晶闸管)、IGBT(绝缘栅双极晶体管)的需求量巨大。

  我们了解到,2009年我国IGBT市场为53亿元左右,而未来几年随着节能减排的推进,IGBT市场规模将年增20%-30%。

  但是,由于我国只有少数小功率IGBT的封装线,还不具备研发、制造管芯的能力和大功率IGBT的封装能力。因此目前国内市场所需的高端电力电子器件主要依赖进口,IGBT供应主要控制在英飞凌、三菱、ABB、富士等外资巨头手中,技术上长期受制于人。对此,国家发改委明确表示,2010年将支持金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)、IGCT、IGBT、超快恢复二极管(FRD)等量大面广的新型电力电子芯片和器件的产业化。

  据悉,国家发改委将组织实施新型电力电子器件产业化专项,鼓励符合条件的企业申请国家补贴资金支持。

  国家补贴资金主要用于项目的研究开发、购置研究开发及工程化所需的仪器设备、改善工艺设备和测试条件、建设产业化或工程化验证成套装置和试验装置、建设必要的配套基础设施、购置必要的技术、软件等。

  电力电子器件产业水平提高创新节能应用更广泛

  近年来,我国电力电子器件产业技术水平不断提高,应用领域日益广泛,已逐渐成为国经济发展中基础性的支柱产业之一。随着电力电子器件产业日益受到国家的重视,国家对其生产企业和科研机构的扶持力度也在逐步加大。然而,在科研和产业化不断取得突破的同时,全行业仍面临诸多困难,尤其是关键技术受制于人,严重影响行业持续发展。

  得到策扶持

  电力电子器件产业直接关系到变流技术的发展与进步,其技术水平成为建设节约型会和创新型国家的关键因素。

  随着我国特高压直流输电、高压变频、交流传动机车/动车组、城市轨道交通等领域技术发展和市场需求的增加,对5英寸及6英寸晶闸管、IGCT(集成门极换流晶闸管)、IGBT(绝缘栅双极晶体管)的需求非常紧迫,而且需求量也非常大。预计国内每年需要5英寸、6英寸晶闸管、IGCT、IGBT的总量将达到50万只以上。然而目前国内市场所需的高端电力电子器件主要依赖进口。

  以IGBT为例,全球IGBT主要供应商集中在英飞凌、三菱、ABB、富士等少数几家公司。目前,我国只有少数小功率IGBT的封装线,还不具备研发、制造管芯的能力和大功率IGBT的封装能力。因此,在技术上长期受制于人,这对国经济的健康发展与国家安全极其不利。

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